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Sviluppu di prucessu 3nm cumpletu in 2020, chì sò l'assassini di Samsung in l'era 5G?

U 2019 hè un annu in quale a tecnulugia 5G hè assai cunnisciuta è cuntattata da i cunsumatori. À u principiu di questu annu, Samsung hà liberatu a prima versione di telefonu cellulare 5G cummerciale Galaxy S105G, chì hè u primu chì furnisce i cunsumatori un pruduttu terminale chì pò sentu a rete 5G.

Perchè Samsung pò furnisce i prudutti 5G cusì rapidamente, chì hè in relazione cù i sforzi fatti in a ricerca è u sviluppu è l'aghjurnamentu di a tecnulugia 5G. Recentemente, in u Forum di Tecnulugia Samsung 5G, hà spartu l'infurmazioni tecniche di Samsung in l'era 5G cù Jiwei. Videmu un pocu di ciò chì Samsung hà aghjurnatu in 5G.

Un sviluppu di 5G chip è 3nm vene l'annu dopu

In principiu di settembre 2019, Samsung Electronics hà liberatu u so primu chip 5G integratu Exynos980. U chip utilizeghja un prucessu 8nm per cumminà un modem di cumunicazione 5G cù un AP mobile di altu rendiment (ApplicationProcessor). In a riunione SFF di u passatu "Forum di a Fundazione di Samsung", Samsung hà ancu annunziatu u prugressu di a so nova generazione di tecnulugia, a micro-reta hà amparatu chì u prucessu di 3nm serà finitu l'annu prossimu.

Sicondu i tecnichi di R&D di Samsung 5G, in u nodo 3nm, Samsung passarà da transistor FinFET à transistor Gate GAA surround. U prucessu 3nm usa a prima generazione di transistor GAA, chì hè ufficialmente chjamatu u prucessu 3GAE. Basatu nantu à a nova struttura di transistor GAA, Samsung hà creatu un MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) utilizendu dispositi nanochip, chì ponu migliurà significativamente a prestazione di transistor è rimpiazzà a tecnulugia di transistor FinFET.

In più, a tecnulugia MBCFET hè cumpatibile cù e tecnulugie di u prucessu di fabricazione FinFET esistenti per accelerà u sviluppu è a produzzione di prucessi. In cunfrontu cù u prucessu 7nm attuale, u prucessu 3nm reduce l'area di u core cù 45 per centu, u cunsumu di energia da 50 per centu, è u rendiment di 35 per centu. In quantu à u prugressu di u prucessu, Samsung hà digià pruduttu chips 7nm in a pianta S3Line in Hwaseong, Corea di u Sudu in aprile di questu annu. Hè previstu di compie u sviluppu di u prucessu 4nm in questu annu è u sviluppu di u prucessu 3nm hè previstu in 2020.

Soluzione 5G end-to-end

In l'era 5G, Samsung hè u primu echelon in quantu di tecnulugia è prudutti. I vantaghji specifichi sò riflessi in i seguenti punti:

Prima, in termini di brevetti, i patenti 5G di Samsung sò abundanti; secondu, in u gruppu di travagliu 3GPP, Samsung hà un totale di 12 presidenti o vicepresidenti; terzu, in a scumessa è a ricerca è u sviluppu di a tecnulugia d'onda millimetrica, Samsung hà pruvatu A cobertura d'onda di millimetru copre una distanza di più di 1 km da a linea di vista, è a cobertura non-visuali ghjunghje à parechji centu metri. À u listessu tempu, pò esse adupratu in l'area densa urbana è a stazione di basa 4G esistente.

Attualmente Samsung hà trè chips, Modem, chip di putere, è chip RF, è tutti sò pronti per a produzzione in massa; l'equipaggiu di rete includenu stazione base 5G è router 5G (interni è esterni). I servizii di produzzione di punta à Samsung in u mercatu 5G includenu equipaghji di rete di rete à rete RF chip, terminali, terminali, rete senza fili, rete core è software di pianificazione di rete.

Credu chì in a futura era 5G, Samsung hè pronta à lascià l'avvena di l'avvene di e tecnulugia novi.